Samsung начал массовое производство 3D V-NAND Flash-памяти 2 поколения

На сайте Samsung Tomorrow появилась информация о том, что Samsung Electronics анонсировала старт производства первой в мире 3D V-NAND памяти второго поколения, содержащих 32 слоя ячеек памяти.

Производство 32-х уровневой V-NAND (Vertical NAND) требует более высокого уровня технологии проектирования, чем при изготовлении 24-х слойной V-NAND, но при этом обеспечивает большую эффективность, поскольку при производстве Flash-памяти второго поколения можно использовать тоже самое оборудование, которое используется для производства V-NAND первого поколения.

Дополнительно, компания анонсировала запуск премиальной линни SSD на основе чипов 2 поколения  объемом 128Gb, 256Gb, 512Gb и 1Tb. После представления SSD на базе 3D V-NAND первого поколения для ЦОДов в прошлом году, сейчас компания расширяет линейку своих SSD высокопроизводительных приложений на ПК, тем самым расширяя рынок сбыта.

Новые SSD на базе 3D V-NAND второго поколения имеют вдвое увеличенное количество для записи данных и потребляют на 20 процентов меньше энергии по сравнению с дисками на основе MLC NAND.